1. 有關放射性蛻變 敘述，下列何者正確？ A.α蛻變（ α decay ）後子核之質量數減 2，原子序減 4 B.β-蛻變（ β-decay ）主要發生在原子核內，子核原子序加１ C.奧杰電子（ Auger electron ）主要是從不穩定原子核內釋出之電子 D.X-ray 是由不穩定之原子核所放出之電磁波

2. 一公克 192Ir 所產生之活度約有多少 Ci ？（已知192Ir 半衰期為74 天） A. 0.98 B. 25.8 C. 457.9 D. 9187

3. 已知 198Au 核種（半衰期為2.7 天）原有的數量為1020個， 則 27 天後此核種的數量為何？ A.1016 B.1017 C.1018 D.1019

4. 原子核 226Ra 衰變至222Rn 之核衰變如圖所示，內轉換（ internal conversion ）的比率為何？ A. 2.2% B. 5.5% C. 8.8% D. 91.2%

5. 今有一放射性核種之平均壽命 為Ta小時，若此核種之原始活度為A，經過 2Ta小時後，其活度約為多少？ A. 0.067×A B. 0.135×A C. 0.25×A D. 0.37×A

6. 有關 鍺（Ge ）半導體偵檢器與 NaI （I的Kα＝28 keV ）閃爍偵檢器，量測 Cs-137 之加馬能譜（光電峰出現在662 keV 處），下列敘述何者正確？ A.回散射（ backscatter ）峰出現之能量位置均高於康普吞邊緣（Compton edge ） B.康普吞邊緣（Compton edge ）出現之能量位置均相同（ 478 keV ） C.因I原子序較 Ge 大，偵測材料體積相同時， Ge 半導體偵檢器量測到的逃逸（ escape ）峰，將較 NaI 閃爍偵檢 器有較大豐度 D.因I原子序較 Ge 大， Ge 半導體偵檢器量測到的逃逸（ escape ）峰，將較 NaI 閃爍偵檢器之能量低

7. 能量 為100 keV 的光子與軌道電子（已知束縛能為20 keV ）發生合調散射（ coherent scattering ）作用，則散 射光子的能量（ keV ）為何？ A. 0 B. 20 C. 80 D. 100

8. 20 MeV 的電子在水中的射程約為10 cm ，則在鋁物質中的電子射程約為多少 cm ？（鋁的密度為2.7 g/cm3） A. 20 B. 10 C. 7.4 D. 3.7

9. X 光機產生之特性輻射（ characteristic X-rays ）光子能量與下列何者最有關？ A.X光機管電流 B.陰極燈絲材質 C.陽極靶材質 D.X光機管電壓

10. 已知有 100 個原子之 K層電子被游離，隨後有 74 個K特性輻射與 26 個奧杰電子（ Auger electrons ）被觀察到， 則其螢光 產率（ fluorescent yield ）ωK為何？ A. 2.85 B. 0.74 C. 0.35 D. 0.26